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Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET’s

机译：极薄SOI MOSFET的电子传输特性的蒙特卡洛模拟

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Francisco Gámiz; Juan A. López-villanueva; Juan B. Roldán; Juan E. Carceller; Pedro Cartujo;
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年度 1998
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1. Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's [J] . Gamiz F., Lopez-Villanueva J.A. IEEE Transactions on Electron Devices . 1998,第5期

机译：极薄SOI MOSFET中电子传输特性的蒙特卡洛模拟
2. Electron transport in thin SOI, strained-SOI and GeOI MOSFET by Monte-Carlo simulation [J] . S. Barraud, L. Clavelier, T. Ernst Solid-State Electronics . 2005,第7期

机译：蒙特卡洛模拟在薄SOI，应变SOI和GeOI MOSFET中的电子传输
3. Multisubband Monte Carlo Study of Transport, Quantization, and Electron-Gas Degeneration in Ultrathin SOI n-MOSFETs [J] . Luca Lucci, Pierpaolo Palestri, David Esseni, IEEE Transactions on Electron Devices . 2007,第期

机译：超薄SOI n-MOSFET中多子带蒙特卡洛研究的输运，量化和电子-气体退化
4. Monte Carlo Study on Electron Transport Properties In Double-Gate Fully Depleted SOI-MOSFETs [C] . F.Gamiz, J.B.Roladan, J.A.Lopez-Villanueva, Proceedings of the 27th European solid-state device research conference . 1997

机译：双门全耗尽SOI-MOSFET中电子输运特性的蒙特卡洛研究
5. Quantum corrected full-band semiclassical Monte Carlo simulation research of charge transport in silicon, stressed silicon, and silicon-germanium MOSFETs. [D] . Fan, Xiaofeng. 2006

机译：量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究，用于硅，应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
6. A Comparison between Electron Gamma Shower National Research Council/Easy Particle Propagation (EGSnrc/Epp) and Monte Carlo N-Particle Transport Code (MCNP) in Simulation of the INTRABEAM ® System with Spherical Applicators [O] . Tegaw E. M., Geraily Gh., Etesami S. M., 2021

机译：电子伽玛淋浴国家研究委员会/简易粒子传播（EGSNRC / EPP）和蒙特卡罗N粒子传输代码（MCNP）在具有球形涂布器的模拟中进行比较
7. Analysis of Potential and Electron Density Behaviour in Extremely Scaled Si and InGaAs MOSFETs Applying Monte Carlo Simulations [O] . Aynul Islam, Anika Tasnim Aynul, Karol Kalna 2020

机译：蒙特卡罗模拟的极其尺度Si和Ingaas MOSFET中潜在和电子密度行为分析

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